Аналогов нет

{"document": [{"text": [{"type": "string", "attributes": {"bold": true}, "string": "В 2019 году на всей территории Российской Федерации завершился переход с аналогового на цифровой формат телевещания. Произошло это в рамках федеральной целевой программе «Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы», которая была направлена на формирование единого информационно пространства на территории страны. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "attachment", "attributes": {"presentation": "gallery"}, "attachment": {"caption": "", "contentType": "image/jpeg", "filename": "транзи.jpg", "filesize": 24576, "height": 350, "pic_id": 803114, "url": "https://storage.yandexcloud.net/pabliko.files/article_cloud_image/2024/01/19/%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8_lxwHwLH.jpeg", "width": 700}}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Не секрет, что эра цифрового эфирного вещания уже наступила, этот современный этап развития телевидения во всем мире заменил устаревшее аналоговое телевещание. Уже несколько лет «аналог» постепенно уходил в прошлое во многих странах. Преимущества «цифры» в качестве картинки и звука невозможно оспорить. Кроме того, цифровой эфирный сигнал доступен в любой местности, вне зависимости от удаленности и количества населения. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Новые технологии требуют и новых разработок сопутствующих устройств. Сегодня подходит к концу гарантийный срок эксплуатации передатчиков телевизионного сигнала, произведенных в рамках вышеупомянутой ФЦП. Устаревают и сами передатчики, и транзисторы в их составе. Таким образом, актуальной задачей для российских инженеров является разработка и постановка на серийное производство новых усилительных транзисторов с характеристиками, отвечающими требованиям современных стандартов цифрового телевизионного вещания. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Осенью прошлого года воронежские ученые из НИИ электронной техники приступили к созданию двух новых транзисторов по технологии LDMOS. Основной областью их применения станут усилители телевизионных сигналов, но передовые характеристики создаваемых новинок позволят улучшить с их помощью параметры другой радиоаппаратуры. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "LDMOS-технология является доминирующей кремниевой технологией развития СВЧ-транзисторов для сотовой связи, а также в ряде других областей. Ее популярность прежде всего связана со сравнительно низкой стоимостью при довольно высоких энергетических параметрах. Она позволяет создавать приборы с выходной мощностью до нескольких киловатт на частотах до 1 ГГц и выше. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "LDMOS расшифровывается как Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – латеральный МОП транзистор с двойной диффузией. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {"bold": true}, "string": "Стандарты DVB-T/DVB-T2 накладывают на применяемые в аппаратуре усилительные транзисторы два ключевых требования: "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "· Обеспечение высокой линейности при передаче сигнала, что обусловлено сложным характером его модуляции; "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {"italic": true}, "string": "· "}, {"type": "string", "attributes": {}, "string": "Способность сохранять надежность при работе на большой мощности при напряжении питания 50 В, что может приводить к значительному нагреву кристалла. Следовательно, что транзисторы должны обладать высоким КПД, а также низким тепловым сопротивлением между кристаллом и корпусом. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Новые транзисторы, разработанные в АО «НИИЭТ», характеризуются высокой по современным меркам удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Работа по их созданию выполнялась при финансировании в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Новые изделия отличает значительно усовершенствована конструкция транзисторных кристаллов и доработанная технология их изготовления. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Транзистор КП9171А в настоящее время проходит тестирование. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {"bold": true}, "string": "Его основные энергетические параметры: "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "· коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "· коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "· коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более –30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц. "}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Новинку ожидают уже ряд крупнейших российских предприятий. Основной областью применения данных транзисторов станут усилители телевизионных сигналов, но благодаря их передовым характеристикам, в частности ̶ большей выходной мощности в сравнении с транзисторами предыдущего поколения, повышенному КПД и высокой линейности, транзисторы позволят улучшить с их помощью параметры аппаратуры и в других областях, таких как, например, системы радиолокации и навигации. "}], "attributes": []}], "selectedRange": [339, 339]}