01 июл 2024 · 15:32
{"document": [{"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Научно-исследовательский институт электронной техники, являясь ведущим отечественным разработчиком мощных СВЧ-транзисторов, в частности, специализируется на разработке и производстве транзисторов для передатчиков эфирного вещаний. Именно транзисторы АО «НИИЭТ» обеспечили надежность и качество государственной системы аналогового телевизионного эфирного вещания нашей страны в 20 веке и начале 21 века. В настоящее время, по прошествии более 30 лет, институт электронной техники реализует проект по разработке первых отечественных транзисторов для цифрового эфирного телевизионного вещания. Специалисты предприятия успешно завершили испытания LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС. Изделия соответствуют требованиям технического задания и не уступают лучшим мировым аналогам. При этом, транзистор КП9171БС, являясь первым отечественным несимметричным транзистором, разработанным для применения в схемах Догерти, обеспечивает наилучшее сочетание линейности характеристик, выходной мощности и эффективности."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "В настоящее время LDMOS-технология является доминирующей кремниевой технологией изготовления СВЧ-транзисторов, применяемых в таких областях, как сотовая связь, радиолокация, цифровое телевидение. Разработанные в АО «НИИЭТ» транзисторы предназначены для работы в усилителях телевизионных сигналов, кроме того, они могут применяться в системах радиолокации и навигации."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы разработки АО «НИИЭТ» не имеют аналогов в нашей стране и способны удовлетворить специфические требования работы в передатчике сигнала стандартов DVB-T/ DVB-T2, при этом обеспечивая высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия в сочетании с высокой линейностью передаточной характеристики."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Завершение опытно-конструкторской работы намечено на конец мая. Потенциальным потребителям уже предоставлены тестовые образцы. Первые серийные поставки изделия запланированы на четвертый квартал этого года, в настоящее время принимаются заявки."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": ""}, {"type": "string", "attributes": {"href": "https://niiet.ru/goods/civilian_microcontrollers/"}, "string": "Работа по созданию мощных СВЧ LDMOS-транзисторов с улучшенной энергоэффективностью для передатчиков цифрового эфирного телевещания выполнялась при софинансировании из федерального бюджета в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Основные параметры транзистора КП9171А: коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц. При этом транзистор обладает практически двукратным запасом по мощности 250 Вт."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "attachment", "attributes": {"presentation": "gallery"}, "attachment": {"caption": "", "contentType": "image/png", "filename": "КП9171А.png", "filesize": 200366, "height": 690, "pic_id": 875933, "url": "http://storage.yandexcloud.net/pabliko.files/article_cloud_image/2024/07/01/%D0%9A%D0%9F9171%D0%90.jpeg?X-Amz-Algorithm=AWS4-HMAC-SHA256&X-Amz-Credential=YCAJEsyjwo6hiq7G6SgeBEL-l%2F20240701%2Fru-central1%2Fs3%2Faws4_request&X-Amz-Date=20240701T123053Z&X-Amz-Expires=3600&X-Amz-SignedHeaders=host&X-Amz-Signature=002b990fb86d43104024870a841ab0a195b881c02b4237642717a19201c094aa", "width": 1209}}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "string", "attributes": {}, "string": "Основные энергетические параметры транзистора КП9171БС: коэффициент усиления по мощности – не менее 18, 6 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 50%, значение параметра IMDSHLDR – не более -33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц. При этом транзистор обеспечивает до 1кВт пиковой импульсной мощности."}], "attributes": []}, {"text": [{"type": "attachment", "attributes": {"presentation": "gallery"}, "attachment": {"caption": "", "contentType": "image/png", "filename": "КП9171БС.png", "filesize": 288119, "height": 680, "pic_id": 875934, "url": "http://storage.yandexcloud.net/pabliko.files/article_cloud_image/2024/07/01/%D0%9A%D0%9F9171%D0%91%D0%A1.jpeg?AWSAccessKeyId=YCAJEsyjwo6hiq7G6SgeBEL-l&Signature=%2BL%2BSqPo%2F3c6EM5qC%2FDwaWRm9jRw%3D&Expires=1719840659", "width": 1200}}], "attributes": []}], "selectedRange": [0, 0]}
Комментарии 0